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参数目录41042
> SI3805DV-T1-E3 MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP
型号:
SI3805DV-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI3805DV-T1-E3 PDF
标准包装
3,000
系列
LITTLE FOOT®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
84 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
330pF @ 10V
功率 - 最大
1.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装
6-TSOP
包装
带卷 (TR)
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